申请/专利权人：中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579335A

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L25/16;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明提供了一种功率放大器及其形成方法。该功率放大器中，将功率器件和至少部分无源器件例如，电容元件和或电感元件分别设置在不同的基板上，基板堆叠设置并连接形成功率放大电路，使得电路的尺寸能够大大缩减，并且可以在不同的基板上分别制备功率器件和至少部分无源器件，有效提高了功率放大器的制备效率，降低器件的加工难度。此外，还有利于对形成有功率器件的基板做进一步的减薄处理，提高器件的散热效率，保障功率器件的稳定性、增益和线性度等性能。

主权项：1.一种功率放大器，其特征在于，包括：形成在第一基板的第一表面上的功率器件；形成在第二基板的第一表面上的电容元件和或电感元件，并且所述第一基板和所述第二基板以第一表面相互面对的方向相互结合，所述功率器件、所述电容元件和所述电感元件电连接以形成功率放大电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司 功率放大器及其形成方法

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