申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-11-09

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579325A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明提供一种划片方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方；对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。本申请通过对切割道上的钝化层进行刻蚀，使得切割道上的钝化层与芯片上的钝化层隔离，避免了划片时钝化层以及其底部的芯片发生崩角、崩边或裂纹等缺陷的问题，在划片时芯片上的钝化层可以不受划片影响，从而使得芯片内部电路结构不受到任何影响，提高了划片的效率，保证了器件的可靠性。

主权项：1.一种划片方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片，其中，所述切割道位于相邻的所述芯片之间；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方；对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 划片方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD