申请/专利权人：埃特曼(苏州)半导体技术有限公司

申请日：2022-12-09

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579434A

主分类号：H01L33/02

分类号：H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.07#授权;2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明公开了一种半导体光电子器件的外延片及其制作方法和应用。所述制作方法包括：在衬底上进行AlN材料的三维生长，以形成间隔分布的多个第一柱状结构，从而形成第一成核子层；改变AlN材料的生长条件，使AlN材料由三维生长向二维生长过渡，以在第一成核子层上形成间隔分布的多个第二柱状结构，从而形成第二成核子层；再次改变AlN材料的生长条件，在第二成核子层上进行AlN材料的二维生长，以使AlN材料在多个第二柱状结构的顶部沿选定方向连续生长并逐渐合并，从而形成第三成核子层，最终获得AlN成核层；之后在AlN成核层生长其它功能层。本发明能够有效降低外延片中的线位错缺陷密度，改善衬底与AlN模板层之间的应力。

主权项：1.一种半导体光电子器件的外延片的制作方法，其特征在于包括，制作AlN成核层的步骤：在第一生长条件下，于衬底表面进行AlN材料的三维生长，以形成沿选定方向间隔分布的多个第一柱状结构，从而形成第一成核子层，所述第一柱状结构具有第一高径比，相邻第一柱状结构之间具有第一间隙，所述选定方向为与衬底表面平行的方向；将第一生长条件改变为第二生长条件，使AlN材料由三维生长向二维生长过渡，以在第一成核子层上形成沿选定方向间隔分布的多个第二柱状结构，每一第二柱状结构形成在一第一柱状结构顶部，从而形成第二成核子层，所述第二柱状结构具有第二高径比，相邻第二柱状结构之间具有第二间隙，并且所述第二高径比小于第一高径比，所述第二间隙小于第一间隙；将第二生长条件改变为第三生长条件，在第二成核子层上进行AlN材料的二维生长，以使AlN材料在多个第二柱状结构的顶部沿选定方向连续生长并逐渐合并，从而形成第三成核子层，且使所述第三成核子层、衬底与所述第一间隙、第二间隙围合形成纳米空洞结构；以及，在AlN成核层上依次生长AlN模板层、第一半导体层、发光层和第二半导体层的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司 半导体光电子器件的外延片及其制作方法和应用

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