申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司

申请日：2020-05-22

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN111562688B

主分类号：G02F1/035

分类号：G02F1/035

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2020.09.15#实质审查的生效;2020.08.21#公开

摘要：公开了一种制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路。该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一衬底上的第一绝缘层以及第一绝缘层上的半导体层；对半导体层进行图案化以形成光栅耦合器以及有源器件的本体；在半导体层背离第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层；在至少一个功能层背离半导体层的一侧，将至少一个功能层与载体衬底进行键合；完全移除第一衬底；形成多个通孔，该多个通孔从第一绝缘层的背离半导体层的表面延伸至至少一个功能层中；以及在第一绝缘层的背离半导体层一侧形成金属布线层。金属布线层和多个通孔部分地包围有源器件。

主权项：1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、所述第一衬底上的第一绝缘层以及所述第一绝缘层上的半导体层；对所述半导体层进行图案化以形成光栅耦合器以及有源器件的本体；在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层；在所述至少一个功能层背离所述半导体层的一侧，将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合；完全移除所述第一衬底，以使得在所述光栅耦合器与所述半导体器件的位于所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧的外部之间，经由所述第一绝缘层而不经由所述第一衬底提供光学传输通道；形成多个通孔，所述多个通孔从所述第一绝缘层的背离所述半导体层的表面延伸至所述至少一个功能层中；以及在所述第一绝缘层的背离所述半导体层一侧形成金属布线层，所述金属布线层与所述多个通孔电连接，其中，所述金属布线层在所述载体衬底上的正交投影与所述光栅耦合器在所述载体衬底上的正交投影不重叠，以及其中，所述金属布线层和所述多个通孔部分地包围所述有源器件。

全文数据：

权利要求：

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