申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-06-05

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN111627993B

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L21/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2020.09.29#实质审查的生效;2020.09.04#公开

摘要：本发明公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上，其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部位的厚度大于所述第二介电层位于所述有源区上的部位的厚度、一导电层位于所述第二介电层上、一阻障层位于所述导电层上、一金属层位于所述阻障层上，其中所述阻障层围绕在所述金属层的底面与侧壁上、以及一氮化硅层位于所述金属层上。本发明具有特殊的栅极介电层设计，可以抑制GIDL问题，同时又不会引起其他不良的影响。

主权项：1.一种栅极结构的制作方法，其特征在于，包含：提供一基底，其上界定有主动区；在所述基底上依序形成一第一介电层、一停止层以及一层间介电层；在所述主动区上方的所述层间介电层中形成栅极图案，直至露出所述停止层的部分顶面；在所述栅极图案以及所述层间介电层和所述停止层上形成一氮化硅层；进行一回蚀刻工艺移除位于所述栅极图案的底面上的所述氮化硅层以及所述第一介电层，以裸露出所述主动区；移除剩余的所述氮化硅层，以裸露出位于所述栅极图案两侧的所述第一介电层；在所述栅极图案中的所述第一介电层以及裸露出的所述主动区上形成一第二介电层；以及在所述第二介电层上形成栅极结构；在所述栅极结构形成后移除所述层间介电层，并在所述层间介电层移除后在所述栅极结构两侧的侧壁上形成间隔壁，其中，所述间隔壁结构的底部高于所述第一介电层和或所述第二介电层的顶部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 栅极结构与其制作方法

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