申请/专利权人：朗美通日本株式会社

申请日：2020-06-30

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN112398003B

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34;H01S5/343;H01S5/32;H01S5/323

优先权：["20190819 JP 2019-150057","20191016 JP 2019-189348","20200410 US 16/845,235"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2022.09.02#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：一种调制掺杂半导体激光器包括：多量子阱，其由包括交替地堆叠的多个第一层和多个第二层的多个层构成，并且包括受体和供体；p型半导体层，其与多个层中的最上层接触；以及n型半导体层，其与多个层中的最下层接触，所述多个第一层包括所述受体，使得p型载流子浓度为p型半导体层的10％以上且150％以下，所述多个第二层包含所述受体，使得p型载流子浓度为p型半导体层的10％以上且150％以下，所述多个第二层包含供体，并且对应于p型载流子浓度与n型载流子浓度之差的有效载流子浓度为多个第二层的p型载流子浓度的10％以下。

主权项：1.一种调制掺杂半导体激光器，包括：多量子阱，其由包括交替地堆叠的多个第一层和多个第二层的多个层构成，并且包括受体和供体；p型半导体层，其与多个层中的最上层接触；以及n型半导体层，其与多个层中的最下层接触，所述多个第一层包括所述受体，使得p型载流子浓度为p型半导体层的10％以上且150％以下，所述多个第二层包含所述受体，使得p型载流子浓度为p型半导体层的10％以上且150％以下，所述多个第二层包含供体，并且对应于p型载流子浓度与n型载流子浓度之差的有效载流子浓度为多个第二层的p型载流子浓度的10％以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗美通日本株式会社 调制掺杂半导体激光器及其制造方法

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