申请/专利权人：大不列颠哥伦比亚大学

申请日：2018-12-18

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN111742199B

主分类号：G01H11/06

分类号：G01H11/06;A61B8/00;B32B27/00;B32B37/02;B32B38/10;H01G7/00;G03F7/30

优先权：["20171219 US 62/607,641"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2020.12.29#实质审查的生效;2020.10.02#公开

摘要：用于制造分层结构的方法和技术，该分层结构如电容微机械超声换能器以及结构自身。层状结构具有膜，该膜包括基于聚合物的层和在基于聚合物的层上的顶部电极。该膜悬置在密封腔上方，并且可以通过在顶部电极与底部电极之间施加电压来致动，顶部电极和底部电极可以沿着密封腔或位于密封腔的底部定位。可以使用表面微加工或晶圆键合工艺来制造所述层状结构。

主权项：1.一种用于制造层状结构的方法，所述方法包括：a在用作底部电极的衬底组件上沉积牺牲层；b使所述牺牲层图案化成第一形状；c在图案化的牺牲层上沉积第一基于聚合物的层；d在所述图案化的牺牲层上方的所述第一基于聚合物的层上图案化顶部电极；e在所述顶部电极上沉积第二基于聚合物的层，使得所述电极处于所述第一基于聚合物的层与所述第二基于聚合物的层之间；和f在所述第二基于聚合物的层已经沉积在所述顶部电极上之后，蚀刻掉所述图案化的牺牲层以在所述电极下方形成腔，其中，所述第一基于聚合物的层包括导管，所述导管允许蚀刻剂从所述第一基于聚合物的层的顶部流到所述图案化的牺牲层，其中，沉积所述第二基于聚合物的层以阻塞所述导管，并且所述方法还包括：蚀刻掉所述第二基于聚合物的层的阻塞所述导管的部分，其中，蚀刻掉所述图案化的牺牲层的步骤包括使所述蚀刻剂流过导管，其中，所述第二基于聚合物的层比所述第一基于聚合物的层厚，其中，选择所述第二基于聚合物的层相对于所述第一基于聚合物的层的相对厚度，使得所述顶部电极以至少1MHz的频率谐振，并且其中，沉积所述牺牲层包括蒸发含溶剂的组合物，然后沉积所述组合物作为所述牺牲层，其中蒸发至少70％且不超过90％的所述溶剂。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大不列颠哥伦比亚大学 分层结构及其制造方法

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