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【发明授权】一种无掩膜光刻校准方法_南京大学_202111515272.1 

申请/专利权人:南京大学

申请日:2021-12-13

公开(公告)日:2023-01-06

公开(公告)号:CN114200781B

主分类号:G03F7/20

分类号:G03F7/20;G03F9/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.06#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要:本发明公开了一种无掩膜光刻校准方法。该方法的具体步骤为:控制系统生成掩膜图案并输出给光刻显微光路中的数字微镜器件,数字微镜器件在样品表面投射出掩膜图案,利用CMOS传感器对样品的表面状态进行实时拍摄,并将采集到的样品曝光场图案传输至控制系统;控制系统将掩膜图案和样品曝光场图案叠加得到干涉摩尔条纹,然后基于摩尔条纹的图形学计算测量原曝光场的位置信息,根据所述位置信息进行曝光位置的校准。本发明的方法引入了光栅测量技术用于无掩膜光刻曝光位置的校准,具有极高的图形的对准和拼接精度,能有力提升精密光刻加工性能。

主权项:1.一种无掩膜光刻校准方法,其装置包括光刻显微光路和控制系统,其特征在于,所述校准方法具体为:控制系统生成掩膜图案并输出给光刻显微光路中的数字微镜器件,数字微镜器件在样品表面投射出所述掩膜图案,利用CMOS传感器实时拍摄曝光后的样品表面状态,并将采集到的样品曝光场图案传输至控制系统;所述控制系统将所述掩膜图案和样品曝光场图案叠加得到干涉摩尔条纹,然后基于摩尔条纹的图形学计算测量曝光场的位置信息,根据所述位置信息进行曝光位置的校准。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京大学 一种无掩膜光刻校准方法

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