申请/专利权人：锦州辽晶电子科技有限公司

申请日：2022-06-16

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN218241849U

主分类号：H01L27/07

分类号：H01L27/07;H01L21/8222

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权

摘要：一种带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片，晶体管的特性参数一致性较好、饱和压降低、抗二次击穿能力强。包括N+型或P+型硅片衬底，在所述硅片衬底表面设有与其同型的高阻层，在高阻层的正面设有前级晶体管T1和后级晶体管T2的基区以及电阻R1和R2，在基区内设有前级晶体管T1及后级晶体管T2的发射区，在后级晶体管T2发射区极条之间的基区与后级晶体管T2的集电极之间寄生形成续流保护二极管，其特殊之处是：所述硅片衬底为重掺杂硅片衬底，所述高阻层为高阻外延层且在所述硅片衬底和高阻外延层之间设有与所述硅片衬底同型的缓冲低阻外延层，在所述高阻外延层的正面位于前级晶体管T1的基区下面设有箝位二极管。

主权项：1.一种带箝位功能的双层硅外延达林顿晶体管芯片，包括N+型或P+型硅片衬底（1），在所述硅片衬底表面设有与其同型的高阻层，在所述高阻层的正面通过扩散工艺设有前级晶体管T1和后级晶体管T2的基区（9）以及电阻R1和R2，在基区（9）内通过扩散工艺设有前级晶体管T1的发射区（10）及后级晶体管T2的发射区（11），在后级晶体管T2发射区极条之间的基区与后级晶体管T2的集电极之间寄生形成续流保护二极管（12），其特征是：所述硅片衬底（1）为重掺杂硅片衬底，所述高阻层为高阻外延层（3）且在所述硅片衬底（1）和高阻外延层（3）之间设有与所述硅片衬底同型的缓冲低阻外延层（2），在所述高阻外延层（3）的正面位于前级晶体管T1的基区下面通过扩散工艺设有箝位二极管（8），在前级晶体管T1和后级晶体管T2的基区周围设有与所述硅片衬底不同型的场限环（13）。

全文数据：

权利要求：

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