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【实用新型】GaN基半导体的界面态密度测试结构_厦门市三安集成电路有限公司_202221714286.6 

申请/专利权人:厦门市三安集成电路有限公司

申请日:2022-07-05

公开(公告)日:2023-01-06

公开(公告)号:CN218241772U

主分类号:H01L21/66

分类号:H01L21/66

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.06#授权

摘要:本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构,该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区,有源区上设有欧姆金属层,在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层,钝化层上设有肖特基金属层,肖特基金属层在GaN外延层上的投影区域覆盖无源区并延伸至有源区,并且肖特基金属层和欧姆金属层在GaN外延层上的投影区域互不重叠,当采用C‑V测试法测量钝化层与GaN外延层之间的界面态密度时,分析仪的两端分别设于肖特基金属层和欧姆金属层上。通过测量出的C‑V曲线拟合可得到钝化层与GaN外延层之间的界面态密度,有源区上方的肖特基金属层在GaN外延层上的投影形状为圆形,该界面态密度测试结构的寄生效应小,测量准确度高。

主权项:1.一种GaN基半导体的界面态密度测试结构,其特征在于:包括GaN外延层,所述GaN外延层上设有无源区和有源区,所述有源区上设有欧姆金属层,在所述无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上设有钝化层,所述钝化层上设有肖特基金属层,所述肖特基金属层在所述GaN外延层上的投影区域覆盖所述无源区并延伸至所述有源区,所述肖特基金属层和所述欧姆金属层在所述GaN外延层上的投影区域互不重叠。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 厦门市三安集成电路有限公司 GaN基半导体的界面态密度测试结构

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