申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN218241856U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423

优先权：["20210709 US 63/219,948","20220607 US 17/834,255"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权

摘要：一种半导体装置，包括栅极结构。栅极结构包括栅极介电层，n型功函数层埋置于栅极介电层中，介电盖层埋置于n型功函数层中，以及p型功函数层埋置于介电盖层中。栅极结构的上表面露出n型功函数层的上表面、介电盖层的上表面、与p型功函数层的上表面。半导体结构亦包括第一金属盖位于n型功函数层上，以及第二金属盖位于该p型功函数层上。第一金属盖与第二金属盖分开且不形成于介电盖层上。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一有源区；一栅极结构，直接位于该有源区上并包括：一p型功函数层，一介电盖层，沿着该p型功函数层的侧壁表面与下表面延伸，一n型功函数层，沿着该介电盖层的侧壁表面与下表面延伸，以及一栅极介电层，与该介电盖层隔有该n型功函数层，其中该栅极结构的上表面包括该n型功函数层的上表面、该介电盖层的上表面、与该p型功函数层的上表面；以及一导电盖层，包括一第一部分位于该n型功函数层的上表面上以及一第二部分位于该p型功函数层的上表面上，且该第一部分与该第二部分分开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置

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