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【发明公布】一种具有沟槽栅极的晶圆的制备方法及晶圆_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202111182779.X 

申请/专利权人:和舰芯片制造(苏州)股份有限公司

申请日:2021-10-11

公开(公告)日:2023-01-13

公开(公告)号:CN115602541A

主分类号:H01L21/336

分类号:H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/3105

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.08.15#授权;2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要:本发明公开了一种具有沟槽栅极的晶圆的制备方法,包含:步骤1,刻蚀,形成第一沟槽和第二沟槽;步骤2,填充栅极多晶硅;步骤3,在栅极多晶硅表面形成氧化层;步骤4,研磨,去除氧化层与部分多余栅极多晶硅;以及步骤5,回刻蚀,去除剩下的多余多晶硅。该制备方法通过在化学机械研磨前增加形成氧化层的步骤,减小了晶圆中心位置与边部位置的厚度差异,以获得晶圆中心位置与边部位置长度均匀的沟槽栅极。本发明同时提供一种包含使用该方法加工的沟槽栅的晶圆。

主权项:1.一种具有沟槽栅极的晶圆的制备方法,所述晶圆至少包含距中心位置第一距离的第一位置沟槽栅极和距所述中心位置第二距离的第二位置沟槽栅极,其中所述第一距离小于第二距离,其特征在于,所述制备方法包含:步骤1,通过刻蚀形成对应于所述第一位置沟槽栅极和所述第二位置沟槽栅极的第一位置沟槽和第二位置沟槽;步骤2,向所述第一位置沟槽和所述第二位置沟槽的内壁形成栅极氧化层内填充栅极多晶硅;步骤3,在所述栅极多晶硅表面形成氧化层,其中所述氧化层在对应于所述第一位置沟槽的位置处的第一厚度小于对应于所述第二位置沟槽的位置处的第二厚度;步骤4,使用氧化物研磨液对晶圆表面进行研磨,以去除所述氧化层和部分的所述第一位置沟槽和所述第二位置沟槽以外的多余栅极多晶硅;以及步骤5,对晶圆表面进行回刻蚀,去除剩下的所述第一位置沟槽和所述第二位置沟槽以外的所述多余栅极多晶硅,以限定所述第一位置沟槽栅极和所述第二位置沟槽栅极的有效长度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 一种具有沟槽栅极的晶圆的制备方法及晶圆

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