申请/专利权人：英属维京群岛商烁星有限公司

申请日：2022-04-07

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602218A

主分类号：G11C11/408

分类号：G11C11/408;G11C11/4091;G11C11/4094

优先权：["20210707 US 63/219,022","20211110 US 17/523,195"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本揭露提供一种存储阵列。所述存储阵列包括第一存储单元、第一字线、第二字线、第一位线、第一互补位线、第二位线、第二互补位线、第一读出放大器、第二读出放大器以及第一逻辑电路。当存储阵列在二进制内容可寻址存储模式下运作时，于搜寻操作期间，第一逻辑输出显示所述第一字线的逻辑电平是否与位于所述第一存储单元的第一数据储存区的第一端处的第一逻辑值匹配、以及所述第二字线的逻辑电平是否与位于所述第一存储单元的所述第一数据储存区的第二端处的第一互补逻辑值匹配。

主权项：1.一种存储阵列，其特征在于，包含：多个第一双端口静态随机存取存储SRAM单元，各自具有第一端口、第一互补端口、第二端口以及第二互补端口；第一位线，耦接至所述多个第一双端口SRAM单元的每一者的所述第一端口；第一互补位线，耦接至所述多个第一双端口SRAM单元的每一者的所述第一互补端口；第二位线，耦接至所述多个第一双端口SRAM单元的每一者的所述第二端口；第二互补位线，耦接至所述多个第一双端口SRAM单元的每一者的所述第二互补端口；第一比较器，具有第一输入及第二输入，其中所述第一比较器的所述第一输入耦接至所述第一位线，且所述第一比较器的所述第二输入耦接至参考电压；第二比较器，具有第一输入及第二输入，其中所述第二比较器的所述第一输入耦接至所述第二互补位线，且所述第二比较器的所述第二输入耦接至所述参考电压；以及第一逻辑电路，用以根据所述第一比较器的输出与所述第二比较器的输出来产生第一逻辑输出。

全文数据：

权利要求：

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