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【发明公布】使用电子通道图案确定切角_FEI 公司_202210716938.8 

申请/专利权人:FEI 公司

申请日:2022-06-23

公开(公告)日:2023-01-13

公开(公告)号:CN115598156A

主分类号:G01N23/20

分类号:G01N23/20;G01N23/20058

优先权:["20210624 US 17/357409"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2023.01.13#公开

摘要:方法和设备使用电子通道图案(ECP)确定晶体样品的切角,其中反向散射电子强度表现出取决于晶体取向的角度变化。当所述样品进行方位角旋转时,垂直于给定晶体平面的晶带轴轨迹为圆。在以倾斜角为轴呈现的ECP图像上,所述圆的半径是所述样品的所述切角。大切角由将所述晶带轴带入ECP视场的倾斜技术确定。ECP是用扫描电子束和单片反向散射电子检测器产生的;或者替代地是用静止电子束和像素化电子反向散射衍射检测器产生的。应用包括应变工程、过程监测、检测空间变化和来料晶片检验。方法比X射线衍射快40×。0.01–0.1°精度支持半导体应用。

主权项:1.一种方法,其包括:在多个方位角设定点将电子束引导至基板并检测从所述基板返回的所述电子束的部分;基于所述电子束的所检测的部分,为所述方位角设定点中的每一个产生相应的电子反向散射图案;以及将所述基板的切角确定为所述电子反向散射图案之间晶带轴的轨迹的半径。

全文数据:

权利要求:

百度查询: FEI 公司 使用电子通道图案确定切角

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