申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602702A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L23/482;H01L23/488;H01L23/528

优先权：["20210628 KR 10-2021-0083756"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.13#公开

摘要：一种半导体存储器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；位线结构，在衬底上在第一方向上排列，位线结构在第二方向上延伸；间隔物结构，设置在位线结构的侧壁上以在第二方向上延伸，间隔物结构包括由空气或氧化硅形成的间隔物；接触结构，设置在间隔物结构之间并且在第二方向上排列；围栏结构，填充接触结构之间的间隙和间隔物结构之间的间隙；以及焊盘隔离膜，隔离位于位线结构上的接触结构、间隔物结构和围栏结构。围栏结构包括第一围栏衬垫和第二围栏衬垫，第二围栏衬垫位于第一围栏衬垫上并且由空气和氧化硅中的一种形成，并且第二围栏衬垫在第一方向上与间隔物交叠。

主权项：1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底在第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；位线结构，所述位线结构在所述衬底上在所述第一方向上排列，所述位线结构在所述第二方向上延伸；间隔物结构，所述间隔物结构设置在所述位线结构的侧壁上以在所述第二方向上延伸，所述间隔物结构包括由空气或氧化硅形成的间隔物；接触结构，所述接触结构设置在所述间隔物结构之间并且在所述第二方向上排列；围栏结构，所述围栏结构填充所述接触结构之间的间隙和所述间隔物结构之间的间隙；以及焊盘隔离膜，所述焊盘隔离膜在所述位线结构、所述间隔物结构和所述围栏结构上隔离所述接触结构，其中，所述围栏结构包括第一围栏衬垫和第二围栏衬垫，所述第二围栏衬垫位于所述第一围栏衬垫上并且由空气和氧化硅中的一种形成，并且所述第二围栏衬垫在所述第一方向上与所述间隔物交叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件

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