申请/专利权人：意法半导体国际有限公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602227A

主分类号：G11C11/418

分类号：G11C11/418;G11C11/419;G11C5/14;G11C7/12;G11C8/08;G06F12/1009;G06F11/30

优先权：["20210709 US 63/220,152","20220620 US 17/844,434"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本公开的实施例涉及存储器内计算操作的自适应字线欠驱动控制。存储器内计算电路包括具有SRAM单元的存储器阵列，SRAM单元通过字线以行连接并且通过位线以列连接。每个行包括由自适应电源电压供电的字线驱动电路。行控制器电路同时致动并行字线以用于存储器内计算操作。列处理电路响应于同时致动来处理位线上产生的模拟电压，以生成用于存储器内计算操作的决策输出。电压生成器电路生成自适应电源电压，以用于在同时致动期间为字线驱动电路供电。自适应电源电压的电平取决于集成电路工艺和或温度条件来进行调制，以便优化字线欠驱动性能，并且抑制不希望的存储器单元数据翻转。

主权项：1.一种存储器内计算电路，包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括以具有多个行和多个列的矩阵布置的多个静态随机存取存储器SRAM单元，每个行包括连接到所述行的所述SRAM单元的字线，并且每个列包括连接到所述列的所述SRAM单元的至少一条位线；用于每个行的字线驱动电路，所述字线驱动电路具有被连接以驱动所述行的所述字线的输出，其中所述字线驱动电路由自适应电源电压供电；行控制器电路，所述行控制器电路被配置为通过将脉冲经由所述字线驱动器电路施加到所述字线来同时致动所述多条字线，以用于存储器内计算操作；列处理电路，所述列处理电路连接到每个列的所述至少一条线，并被配置为响应于所述多条字线的同时致动来处理所述位线上产生的模拟电压，以生成用于所述存储器内计算操作的决策输出；以及电压生成器电路，所述电压生成器电路被配置为在用于所述存储器内计算操作的所述多条字线的同时致动期间，生成用于为所述字线驱动电路供电的所述自适应电源电压，所述自适应电源电压具有取决于集成电路工艺和或温度条件的电平。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体国际有限公司 存储器内计算操作的自适应字线欠驱动控制

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