申请/专利权人：东科半导体(安徽)股份有限公司

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602684A

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L23/552;H10N39/00;H01L21/82;H03H9/54;H03H3/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本申请公开了一种集成结构极其制备方法，所述集成结构，包括：一衬底；一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；其中，所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。通过上述结构，节约了版图面积，提高了射频功放模块集成度和功率密度，改善了功放模块高频性能。

主权项：1.集成结构，其特征在于：包括：一衬底；一放大器上层结构，位于所述衬底之上，其中，所述放大器上层结构和所述衬底形成一放大器结构；一互连结构，位于所述放大器上层结构之上；一声波滤波器上层结构，位于所述互连结构之上，其中，所述声波滤波器上层结构与所述互连结构形成一声波滤波器；其中，所述放大器结构上的电极自所述放大器结构上穿过所述互连结构延伸至所述互连结构表面；所述互连结构内设置有电磁屏蔽结构以屏蔽所述放大器结构和所述声波滤波器结构之间的电磁干扰。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东科半导体(安徽)股份有限公司 集成结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD