申请/专利权人：芯合半导体公司

申请日：2022-09-08

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115605023A

主分类号：H10B20/25

分类号：H10B20/25;G11C17/16;G11C17/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本发明涉及一种OTP存储器及其操作方法、工艺方法。所述OTP存储器中，OTP存储单元的源端Ldd区和源区之间形成PN结，该PN结在对所述OTP存储单元编程时被击穿，能够实现一次性编程功能，而且电路布局简洁，有助于缩小芯片面积，降低成本。所述工艺方法在半导体基底表面区域同步形成所述OTP存储器的OTP存储单元以及MOS晶体管，降低了OTP存储器的制作难度，成本低，便于量产。

主权项：1.一种OTP存储器，其特征在于，包括至少一个OTP存储单元，所述OTP存储单元包括：源区、漏区和沟道区，形成于一半导体基底中的第一掺杂类型区域，所述源区具有第一掺杂类型，所述漏区具有第二掺杂类型，所述沟道区位于所述源区和漏区之间；具有第二掺杂类型的源端Ldd区和漏端Ldd区，分别位于所述沟道区的两端并分别邻接所述源区和漏区，其中，所述源端Ldd区和所述源区之间形成PN结；以及栅极氧化层和栅极，堆叠形成于所述沟道区上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯合半导体公司 OTP存储器及其操作方法、工艺方法

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