申请/专利权人：拓荆科技股份有限公司

申请日：2022-10-27

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115595559A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多腔室半导体设备。本发明提供的多腔室半导体设备，包括过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接，选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体；第一反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换；第二反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。本发明将高流量吹扫气体和低流量吹扫气体持续性地流入吹扫管路，实现吹扫气体和反应源交替进入腔体，一方面减少吹扫死区，另一方面可以快速注入和快速吹扫。

主权项：1.一种多腔室半导体设备，其特征在于，包括：多个反应腔室，每个反应腔室包括第一反应空间和第二反应空间：第一反应源管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，向第一反应空间、第二反应空间提供第一反应气体；第二反应源管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，向第一反应空间、第二反应空间提供第二反应气体；吹扫管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，持续性向第一反应空间、第二反应空间提供吹扫气体；过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；其中，所述吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接，选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体；第一反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换；第二反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 拓荆科技股份有限公司 多腔室半导体设备

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