申请/专利权人:成都凯路威电子有限公司
申请日:2022-10-14
公开(公告)日:2023-01-13
公开(公告)号:CN115331723B
主分类号:G11C17/16
分类号:G11C17/16
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.01.13#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开
摘要:快速读写OTP嵌入式存储器,涉及集成电路技术。本发明包括由M×N个反熔丝存储单元构成的阵列,M和N皆为大于2的整数,每个反熔丝存储单元包括第一栅电容、第一MOS管、第二栅电容和第二MOS管,第一MOS管的栅端连接所在行的第一选择行线;第一栅电容的栅端和第二栅电容的栅端连接公共行线;第二MOS管的栅端连接所在行的第二选择行线;第一栅电容的有源端连接第一MOS管的第二有源端,第二栅电容的有源端连接第二MOS管的第一有源端,第一MOS管的第一有源端和第二MOS管的第二有源端连接所在列的列线;各行中的公共行线相互连接。本发明具有省电、省时、面积小的优点。
主权项:1.快速读写OTP嵌入式存储器,包括由M×N个反熔丝存储单元构成的阵列,M和N皆为大于2的整数,其特征在于,每个反熔丝存储单元包括第一栅电容、第一MOS管、第二栅电容和第二MOS管,所述栅电容由一个栅板、一个有源区和二者之间的栅氧化层构成,第一MOS管的栅端连接所在行的第一选择行线;第一栅电容的栅端和第二栅电容的栅端连接公共行线;第二MOS管的栅端连接所在行的第二选择行线;第一栅电容的有源端连接第一MOS管的第二有源端,第二栅电容的有源端连接第二MOS管的第一有源端,第一MOS管的第一有源端和第二MOS管的第二有源端连接所在列的列线;各行中的公共行线相互连接;第一MOS管和第二MOS管的栅氧化层厚度皆大于第一栅电容的栅氧化层厚度,第一MOS管和第二MOS管的栅氧化层厚度皆大于第二栅电容的栅氧化层厚度。
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权利要求:
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