申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-07-12

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115623774A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有多个平行间隔排布的位线；在相邻位线之间形成接触插塞，并在接触插塞的顶部形成金属硅化物层，金属硅化物层的上表面低于位线的上表面，且金属硅化物层的纵截面形状为U型；在金属硅化物层上形成接触焊盘，接触焊盘填满相邻位线之间的间隙；接触焊盘与金属硅化物层及接触插塞共同构成存储节点接触结构。本公开提供的半导体结构及其制备方法，可以降低存储节点接触结构的接触电阻，有效减小存储节点接触结构漏电的风险，以改善半导体结构的电学性能，并提高半导体结构的良率。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多个平行间隔排布的位线；在相邻所述位线之间形成接触插塞，并在所述接触插塞的顶部形成金属硅化物层，所述金属硅化物层的上表面低于所述位线的上表面，且所述金属硅化物层的纵截面形状为U型；在所述金属硅化物层上形成接触焊盘，所述接触焊盘填满相邻所述位线之间的间隙；所述接触焊盘与所述金属硅化物层及所述接触插塞共同构成存储节点接触结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法

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