申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-07-12

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115621215A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本申请公开了一种封装结构及制备方法，封装结构包括：半导体芯片；第一非导电层，覆盖半导体芯片的正面及半导体芯片的部分侧壁；第二非导电层，第二非导电层，位于第一非导电层的上表面，且至少覆盖第一非导电层的部分侧壁；其中，第一非导电层的熔体黏度大于第二非导电层的熔体黏度；基板；防焊层，位于基板的表面，防焊层内具有第一开口；半导体芯片倒装键合于基板上，第二非导电层远离第一非导电层的表面及防焊层远离基板的表面为键合面；第二非导电层无孔隙填满第一开口。位于具有低熔体黏度的第二非导电层将空气排出封装结构；具有高熔体黏度的第一非导电层第一非导电层拉住第二非导电层，抑制第二非导电层的溢出。

主权项：1.一种封装结构，其特征在于，包括：半导体芯片；第一非导电层，覆盖所述半导体芯片的正面及所述半导体芯片的部分侧壁；第二非导电层，位于所述第一非导电层的上表面，且至少覆盖所述第一非导电层的部分侧壁；其中，所述第一非导电层的熔体黏度大于所述第二非导电层的熔体黏度；基板；防焊层，位于所述基板的表面，所述防焊层内具有第一开口；所述半导体芯片倒装键合于所述基板上，所述第二非导电层远离所述第一非导电层的表面及所述防焊层远离所述基板的表面为键合面；所述第二非导电层无孔隙填满所述第一开口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 封装结构及制备方法

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