申请/专利权人：宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;鹏鼎控股(深圳)股份有限公司

申请日：2021-07-13

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115621130A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本申请提供一种封装结构，包括封装基板、芯片、异方性导电层以及第一线路板，所述封装基板沿厚度方向贯穿设置有开孔，所述芯片容置于所述开孔内，所述异方性导电层设置于开孔的一侧，所述芯片与所述异方性导电层于所述厚度方向上电性导通，所述第一线路板设置于所述异方性导电层上，所述第一线路板与所述异方性导电层于所述厚度方向上电性导通。本申请能够降低芯片导通不良的风险。另外，本申请还提供一种封装结构的制造方法。

主权项：1.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供封装基板，所述封装基板具有厚度方向，所述封装基板沿所述厚度方向贯穿设置有开孔；于所述封装基板的一侧设置异方性导电层，所述异方性导电层覆盖所述开孔的一侧；经所述开孔远离所述异方性导电层的另一侧向所述开孔内放入芯片，使所述芯片沿所述厚度方向电性连接所述异方性导电层；以及于所述异方性导电层上设置第一线路板，使所述第一线路板沿所述厚度方向电性连接所述异方性导电层，获得所述封装结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司;鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 封装结构及其制造方法

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