申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-07-13

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115623671A

主分类号：H05K1/11

分类号：H05K1/11;H05K1/02;H05K1/18;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/498

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法。本申请实施例用以解决相关技术中基底与芯片间易产生空隙的问题。基底的接合面上设置有用于与元器件的接触部连接第一焊接部，接合面上还覆盖有第一阻焊层，第一阻焊层上具有第一凹槽，第一焊接部位于第一凹槽内，且第一焊接部填充满第一凹槽。由于第一凹槽内充满第一焊接部，后续在基底上填充填充层时，填充层无法填充进入第一凹槽内，进而避免填充层在第一凹槽内产生空隙，从而提高了电路板结构的可靠性。

主权项：1.一种电路板结构，其特征在于，包括：基底，所述基底的接合面上设置有用于与元器件的接触部连接的第一焊接部，所述接合面上还覆盖有第一阻焊层，所述第一阻焊层上具有第一凹槽，所述第一焊接部位于所述第一凹槽内，且所述第一焊接部填充满所述第一凹槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 电路板结构、半导体结构及半导体结构的制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD