申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-07-14

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115621248A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本申请提出一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含衬底以及多个第一布线；衬底具有第一区域和第二区域，衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层；多个第一布线设置于第一绝缘层中，并位于第一区域的邻接第二区域的边缘位置，至少一个第一布线通过至少两个第一接触窗与第一区域的电极层连接；其中，连接一个所述第一布线的所述至少两个第一接触窗的直径不完全相等。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：衬底，具有第一区域和第二区域，所述衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层；多个第一布线，设置于所述第一绝缘层中，并位于所述第一区域的邻接所述第二区域的边缘位置，至少一个所述第一布线通过至少两个第一接触窗与所述第一区域的所述电极层连接；其中，连接一个所述第一布线的所述至少两个第一接触窗的直径不完全相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法

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