申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115623780A

主分类号：H10B41/10

分类号：H10B41/10;H10B41/20;H10B41/35;H10B41/41

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，在衬底的存储单元区的表面形成有多个分离的浮栅结构，所述浮栅结构包括形成于衬底表面的浮栅及垂直堆叠于所述浮栅上的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；进行第一刻蚀工艺，刻蚀所述第二硬掩膜层，以减小所述第二硬掩膜层的侧壁与所述第一硬掩膜层的表面之间的倾斜角度；以及，进行第二刻蚀工艺，刻蚀所述浮栅结构，以减小所述浮栅结构的侧壁与所述衬底的表面之间的倾斜角度。本发明通过减小浮栅结构的侧壁与衬底表面之间的倾斜角度改善了闪存器件中浮栅的形貌，使所述浮栅的垂直于所述隔离沟槽延伸方向的截面呈梯形，从而提高后续工艺的工艺窗口，提高闪存器件的性能和良率。

主权项：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的存储单元区的表面形成有多个分离的浮栅结构，所述浮栅结构包括形成于衬底表面的浮栅及垂直堆叠于所述浮栅上的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；进行第一刻蚀工艺，刻蚀所述第二硬掩膜层，以减小所述第二硬掩膜层的侧壁与所述第一硬掩膜层的表面之间的倾斜角度；以及，进行第二刻蚀工艺，刻蚀所述浮栅结构，以减小所述浮栅结构的侧壁与所述衬底的表面之间的倾斜角度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 闪存器件及其制造方法

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