申请/专利权人：恩特格里斯公司

申请日：2016-08-18

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115621305A

主分类号：H01L29/16

分类号：H01L29/16;H01L21/02;H01L21/324

优先权：["20150820 US 62/207,375","20151209 US 62/265,376"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要：本申请涉及碳化硅石墨复合物与包括所述复合物的物件及组合件。本发明描述一种包含i内部块状石墨材料及ii外部碳化硅基质材料的碳化硅‑石墨复合物，其中所述内部块状石墨材料及外部碳化硅基质材料在其间的界面区域处彼此相互渗透，且其中石墨存在于所述外部碳化硅基质材料中的包含物中。此碳化硅‑石墨复合物适用于许多应用，诸如在制造太阳能电池或其它光学、光电、光子、半导体及微电子产品中的植入式硬掩模，以及在诸如光束线组合件、光束操控镜头、电离腔室衬垫、光束光阑及离子源腔室的离子植入系统材料、组件及组合件中。

主权项：1.一种碳化硅-石墨复合物，其包括i内部块状石墨材料及ii外部碳化硅基质材料，其中所述内部块状石墨材料及外部碳化硅基质材料在其间的界面区域处彼此相互渗透，其中石墨存在于所述外部碳化硅基质材料中的包含物中，其中所述复合物通过使石墨与一氧化硅接触以进行产生所述复合物的反应来形成，且所述复合物上不含任何碳化硅罩盖层，并且其中所述复合物的热膨胀系数CTE在4×10-6℃至6.5×10-6℃的范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩特格里斯公司 碳化硅/石墨复合物与包括所述复合物的物件及组合件

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