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【发明授权】一种随钻电阻率测井响应伪2.5D模拟方法_电子科技大学_202211207200.5 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2022-09-30

公开(公告)日:2023-01-17

公开(公告)号:CN115292771B

主分类号:G06F30/10

分类号:G06F30/10;G06F17/18

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.17#授权;2022.11.22#实质审查的生效;2022.11.04#公开

摘要:一种随钻电阻率测井响应伪2.5D模拟方法,包括步骤:建立地层坐标系;获取地质体边界坐标;确定地质体类别的岩石物理参数,从而建成二维地层模型;确定当前测井点坐标;确定计算域范围,并明确计算域内部电性参数的分布;确定降维窗口;使用降维窗口提取二维地层模型中的地层界面位置以及地层界面斜率来建立一维模型;每1个降维窗口对应建立1个一维模型;分别计算各一维模型的测井响应;对所有窗口得到的一维模型的电阻率测井响应进行加权平均处理得到伪2.5D计算结果,将伪2.5D计算结果作为最终的电阻率测井响应结果并输出。本发明有效平衡了对随钻电阻率测井响应速度和精度的需求。

主权项:1.一种随钻电阻率测井响应伪2.5D模拟方法,其特征在于,包括以下步骤:s1.建立地层坐标系;s2.获取地质体边界坐标;s3.确定地质体的岩石物理性质的参数;根据地层坐标系、地质体边界坐标以及表示岩石物理性质的参数建立二维地层模型;s4.依据井眼轨迹和地层坐标系确定当前测井点位置;s5.确定当前测井点的计算域的范围以及计算域内部电性参数的分布;s6.确定降维窗口的窗口个数及窗口尺寸;s7.使用降维窗口提取二维地层模型中的地层界面位置以及地层界面斜率来建立一维模型;每1个降维窗口对应建立1个一维模型;建立一维模型的方法具体为:对于宽度为0的降维窗口,在二维地层模型中提取探测仪器当前位置处地层界面位置作为一维模型中地层界面的端点位置,以二维地层模型中距离探测仪器当前位置最近的地层界面斜率作为一维模型中地层界面斜率;对于宽度不为0的降维窗口,提取二维地层模型的地层界面与降维窗口左右边界的交点位置作为一维模型中平直地层界面的端点位置,所述平直地层界面的斜率作为一维模型中地层界面斜率;s8.获取每个一维模型的电阻率测井响应;s9.对所有窗口得到的一维模型的电阻率测井响应进行加权平均处理得到伪2.5D计算结果,将伪2.5D计算结果作为最终的电阻率测井响应结果并输出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种随钻电阻率测井响应伪2.5D模拟方法

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