申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115310338B

主分类号：G06F30/23

分类号：G06F30/23;G06T17/20;G06F111/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.17#授权;2022.11.25#实质审查的生效;2022.11.08#公开

摘要：本发明提供一种IGBT故障运行参数的动态模拟方法及系统，其中，方法包括：解析IGBT的有限元模型，确定电能传输网络；解析电能传输网络，确定各个相关的有限元单元；基于有限元单元在电能传输网络中的位置，对有限元单元进行编号，获取各个有限元单元对应的标识编号；获取输入的第一类故障类型；基于第一类故障类型和预设的有限元单元配置库，确定配置参数集；基于配置参数集和标识编号，确定各个有限元单元的配置参数。本发明的IGBT故障运行参数的动态模拟方法，实现模型的故障运行参数的动态模拟。

主权项：1.一种IGBT故障运行参数的动态模拟方法，其特征在于，包括：解析IGBT的有限元模型，确定电能传输网络；解析所述电能传输网络，确定各个相关的有限元单元；基于所述有限元单元在所述电能传输网络中的位置，对所述有限元单元进行编号，获取各个所述有限元单元对应的标识编号；获取输入的第一类故障类型；基于所述第一类故障类型和预设的有限元单元配置库，确定配置参数集；基于所述配置参数集和所述标识编号，确定各个所述有限元单元的配置参数；其中，所述IGBT的有限元模型通过如下步骤构建：构建IGBT的实体模型；对所述实体模型进行网格划分，获取多个有限元单元；定义各个所述有限元单元的电学参数，获取所述有限元模型；其中，所述对所述实体模型进行网格划分，获取多个有限元单元，包括：解析所述实体模型，确定各个物质接触面；基于各个所述物质接触面，确定多个分割平面；基于多个所述分割平面，将所述实体模型分割为多个所述有限元单元。

全文数据：

权利要求：

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