申请/专利权人:格科微电子(上海)有限公司
申请日:2021-07-19
公开(公告)日:2023-01-24
公开(公告)号:CN115642162A
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开
摘要:本发明提供一种图像传感器的形成方法及其图像传感器,所述图像传感器的形成方法包括:提供半导体衬底,于半导体衬底预定位置形成深层掺杂区;于所述深层掺杂区之上形成浅层掺杂区,所述深层掺杂区与所述浅层掺杂区构成图像传感器的光生载流子收集区;于所述光生载流子收集区一侧,形成转移晶体管栅极以及浮置扩散区;其中,所述浅层掺杂区延伸至所述浮置扩散区,以使所述光生载流子收集区与所述浮置扩散区连通,从而提高所述转移晶体管对光生载流子的传导能力,同时提升图像传感器的满阱容量。本发明通过将光生载流子收集区与浮置扩散区连通,提高光生载流子的传输能力,并增大像素单元的满阱容量。
主权项:1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,于半导体衬底预定位置形成深层掺杂区;于所述深层掺杂区之上形成浅层掺杂区,所述深层掺杂区与所述浅层掺杂区构成图像传感器的光生载流子收集区;于所述光生载流子收集区一侧,形成转移晶体管栅极以及浮置扩散区;其中,所述浅层掺杂区延伸至所述浮置扩散区,以使所述光生载流子收集区与所述浮置扩散区连通,从而提高所述转移晶体管对光生载流子的传导能力,同时提升图像传感器的满阱容量。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 格科微电子(上海)有限公司 图像传感器的形成方法及其图像传感器
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