申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2021-07-20

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115642137A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/528;H01L23/552

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕过孔结构侧壁的方向上，第一保护结构和第二保护结构依次环绕过孔结构侧壁设置，且第一保护结构与第二保护结构相互间隔，第一保护结构与过孔结构之间具有第一间隔，第一保护结构至少部分区域与至少一层地层电连接，第二保护结构至少部分区域与过孔结构之间具有第二间隔，且第二保护结构与至少一层电源层电连接。本申请实施例有利于优化过孔结构的回流路径和降低过孔结构和周围电路间的串扰，以提高过孔结构传递电信号的传输质量。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：沿预设方向排列的至少一层地层和至少一层电源层，以及沿所述预设方向延伸的过孔结构；第一保护结构以及第二保护结构，在沿环绕所述过孔结构侧壁的方向上，所述第一保护结构和所述第二保护结构依次环绕所述过孔结构侧壁设置，且所述第一保护结构与所述第二保护结构相互间隔，所述第一保护结构与所述过孔结构之间具有第一间隔，所述第一保护结构至少部分区域与至少一层所述地层电连接，所述第二保护结构至少部分区域与所述过孔结构之间具有第二间隔，且所述第二保护结构与至少一层所述电源层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构

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