申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司

申请日：2021-08-23

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115642143A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H10B20/00;H10B12/00

优先权：["20210719 TW 110126347"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明公开一种存储器结构，包括基底与一次可编程存储器元件。一次可编程存储器元件包括第一埋入式栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一接触窗、反熔丝材料层、第一导线与第二接触窗。第一埋入式栅极结构设置在基底中。第一掺杂区与第二掺杂区位于第一埋入式栅极结构的两侧的基底中。第一接触窗设置在第一掺杂区上。反熔丝材料层设置在第一接触窗与第一掺杂区之间。第一导线设置在第一接触窗上。第二接触窗设置在第二掺杂区上。

主权项：1.一种存储器结构，包括：基底；以及一次可编程存储器元件，包括：第一埋入式栅极结构，设置在所述基底中；第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述第一埋入式栅极结构的两侧的所述基底中；第一接触窗，设置在所述第一掺杂区上；反熔丝材料层，设置在所述第一接触窗与所述第一掺杂区之间；第一导线，设置在所述第一接触窗上；以及第二接触窗，设置在所述第二掺杂区上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 存储器结构

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