申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2021-08-10

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115643788A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10B63/00

优先权：["20210720 TW 110126609"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。所述电阻式随机存取存储器包括设置在衬底上的多个单元结构。所述多个单元结构中的每一个包括第一电极、第一金属氧化物层以及间隔件。所述第一电极设置在所述衬底上。所述第一金属氧化物层设置在所述第一电极上。所述间隔件设置在所述第一电极与所述第一金属氧化物层的侧壁上。此外，所述电阻式随机存取存储器包括第二金属氧化物层以及第二电极。所述第二金属氧化物层设置在所述多个单元结构上，且与所述多个单元结构连接。所述第二电极设置在所述第二金属氧化物层上。

主权项：1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：多个单元结构，设置在衬底上，其中所述多个单元结构中的每一个包括：第一电极，设置在所述衬底上；第一金属氧化物层，设置在所述第一电极上；以及间隔件，设置在所述第一电极与所述第一金属氧化物层的侧壁上；第二金属氧化物层，设置在所述多个单元结构上，且与所述多个单元结构连接；以及第二电极，设置在所述第二金属氧化物层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 电阻式随机存取存储器及其制造方法

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