申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2021-08-04

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115643787A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10B63/00

优先权：["20210719 TW 110126483"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器装置及其制造方法，其中该电阻式随机存取存储器装置包括：介电层，位于衬底上方；第一电极，位于所述介电层上方，其中所述第一电极为柱状体；第二电极，覆盖所述第一电极的侧壁与顶面；以及可变电阻层，夹于所述第一电极的所述顶面与所述第二电极之间，所述第一电极的所述侧壁与所述第二电极之间且位于所述第二电极与所述介电层之间。

主权项：1.一种电阻式随机存取存储器装置，其特征在于，该电阻式随机存取存储器装置包括：介电层，位于衬底上方；以及第一电极，所述第一电极为柱状体，位于所述介电层上方；第二电极，覆盖所述第一电极的侧壁与顶面；以及可变电阻层，夹于所述第一电极的所述顶面与所述第二电极之间，所述第一电极的所述侧壁与所述第二电极之间且位于所述第二电极与所述介电层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 电阻式随机存取存储器装置及其制造方法

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