申请/专利权人：艾普凌科株式会社

申请日：2022-03-18

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115643786A

主分类号：H10N52/80

分类号：H10N52/80;H10N52/01

优先权：["20210720 JP 2021-119221"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：本发明提供一种具有能够提高灵敏度的立式霍尔元件的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：第一导电型的半导体基板10；以及立式霍尔元件100，设置于半导体基板10上，立式霍尔元件100包括：第二导电型的杂质扩散层20，设置于半导体基板10上，随着变深而杂质浓度变高；以及三个以上的电极31～35，在杂质扩散层20的表面设置于一直线上，包含相较于杂质扩散层20为高浓度的第二导电型的杂质区域。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板；以及立式霍尔元件，设置于所述半导体基板上，所述立式霍尔元件包括：第二导电型的杂质扩散层，设置于所述半导体基板上，随着变深而杂质浓度变高；以及三个以上的电极，在所述杂质扩散层的表面设置于一直线上，包含相较于所述杂质扩散层为高浓度的第二导电型的杂质区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾普凌科株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

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