申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-06-08

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115643785A

主分类号：H10N50/01

分类号：H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00

优先权：["20210720 KR 10-2021-0094661"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：一种制造磁阻随机存取存储器MRAM器件的方法，包括：在衬底上形成绝缘中间层；形成延伸穿过绝缘中间层的接触插塞；形成覆盖接触插塞的上表面的第一阻挡层，第一阻挡层包括非晶材料；在第一阻挡层上形成下电极层；以及在下电极层上形成磁隧道结结构层。

主权项：1.一种制造磁阻随机存取存储器MRAM器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成绝缘中间层；形成延伸穿过所述绝缘中间层的接触插塞；形成覆盖所述接触插塞的上表面的第一阻挡层，所述第一阻挡层包括非晶材料；在所述第一阻挡层上形成下电极层；以及在所述下电极层上形成磁隧道结结构层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 制造磁阻随机存取存储器器件的方法

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