申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-07-01

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115643763A

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/20

优先权：["20210706 KR 10-2021-0088571"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：一种非易失性存储器设备包括第一半导体层和沿垂直方向布置的第二半导体层。第一半导体层包括多个存储器单元和沿第一方向延伸的多个金属线，所述多个金属线包括第一位线、第二位线、以及在第一位线和第二位线之间的共源线分接导线。第二半导体层包括连接到第一位线和第二位线的页缓冲器电路，并且页缓冲器电路包括：布置在第一位线的下方并电性连接到第一位线的第一晶体管、布置在第二位线的下方并电性连接到第二位线的第二晶体管、以及布置为在共源线分接导线的下方并与共源线分接导线重叠并且沿第一方向延伸的第一保护环。

主权项：1.一种非易失性存储器设备，包括：第一半导体层，其包括各自具有多个存储器单元的多个单元串和布置在多个存储器单元的上方的多个金属线，所述多个金属线沿第一方向延伸，并且所述多个金属线包括在第二方向彼此相邻的第一位线、在第二方向彼此相邻的第二位线、以及在第一位线和第二位线之间的共源线分接导线；和第二半导体层，其被沿垂直方向布置在第一半导体层的下方，并且包括连接到第一位线和第二位线的页缓冲器电路，其中，页缓冲器电路包括：第一晶体管，其被沿垂直方向布置在第一位线的下方，并且电性连接到第一位线；第二晶体管，其被沿垂直方向布置在第二位线的下方，并且电性连接到第二位线；和第一保护环，其被沿垂直方向布置为在共源线分接导线的下方并与共源线分接导线重叠，并且沿第一方向延伸，其中，多个单元串被设置在第一位线和第二位线以及共源线之间，以及其中，共源线分接导线电性连接到共源线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器设备

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