申请/专利权人：ASM IP私人控股有限公司

申请日：2022-07-15

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115637424A

主分类号：C23C16/50

分类号：C23C16/50;C23C16/34

优先权：["20210720 US 63/223,621"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：公开了用于形成包括碳化硅层的结构的方法和系统以及使用该方法和系统形成的结构。示例性方法包括向反应室提供碳化硅前体，在反应室内形成等离子体以在衬底表面上形成初始可流动的粘性碳化硅材料，其中初始粘性碳材料变成碳化硅层。示例性方法可以包括使用包含碳‑碳三键的碳化硅前体和或使用相对低的等离子体功率密度例如小于3Wcm2。

主权项：1.一种形成包括含碳化硅层的结构的方法，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室提供前体，该前体包括含硅和碳的分子；以及施加等离子体功率以在反应室内形成等离子体，其中等离子体功率小于暴露于等离子体以形成含碳化硅层的衬底的3.0Wcm2表面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASM IP私人控股有限公司 形成包括碳化硅层的结构的方法

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