申请/专利权人:胜高股份有限公司
申请日:2022-07-18
公开(公告)日:2023-01-24
公开(公告)号:CN115637486A
主分类号:C30B15/00
分类号:C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06;G01J5/00;G01J5/07;G01J5/0806
优先权:["20210719 JP 2021-118511"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开
摘要:本发明提供单晶硅制造装置1,前述单晶硅制造装置1具备腔50、坩埚51、放射温度计3、光源5、调整装置4,前述坩埚51配置于腔50内,前述放射温度计3具有检测来自测定对象的辐射光的检测元件16、将辐射光会聚至检测元件16的透镜15及用于视觉确认测定对象的取景器17,前述光源5经由取景器17及透镜15向测定对象沿与透镜15的光轴A一致的轴线供给光,前述调整装置4在能够调整放射温度计3的测定位置的状态下支承放射温度计3。
主权项:1.一种单晶硅制造装置,其特征在于,具备腔、坩埚、放射温度计、光源、调整装置,前述坩埚配置于前述腔内,前述放射温度计具有检测来自测定对象的辐射光的检测元件、将前述辐射光会聚至前述检测元件的透镜及用于视觉确认前述测定对象的取景器,前述光源经由前述取景器及前述透镜,沿着与前述透镜的光轴一致的轴线向前述测定对象供给光,前述调整装置在能够调整前述放射温度计的测定位置的状态下支承前述放射温度计。
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