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【发明公布】存储器阵列区中的导电层以及用于形成所述导电层的方法_美光科技公司_202210842679.3 

申请/专利权人:美光科技公司

申请日:2022-07-18

公开(公告)日:2023-01-24

公开(公告)号:CN115643756A

主分类号:H10B12/00

分类号:H10B12/00

优先权:["20210719 US 17/379,794"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要:本申请涉及存储器阵列区中的导电层以及用于形成所述导电层的方法。描述用于制造半导体存储器装置的设备和方法。一种实例方法包含:形成导电层以及用气体溅镀所述导电层。所述导电层包含具有具有第一高度的顶表面的第一部分;以及具有具有低于所述第一高度的第二高度的顶表面的第二部分。用气体溅镀所述导电层可经执行以移除所述导电层的所述第一部分且同时增加所述导电层的所述第二部分的所述第二高度。

主权项:1.一种制造半导体存储器装置的方法,其包括:形成导电层,所述导电层包含:第一部分,其具有具有第一高度的顶表面;以及第二部分,其具有具有低于所述第一高度的第二高度的顶表面;以及用气体溅镀所述导电层以移除所述导电层的所述第一部分且同时增加所述导电层的所述第二部分的所述第二高度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 存储器阵列区中的导电层以及用于形成所述导电层的方法

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