申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-07-18

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115643762A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/35;H10B43/10;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/10

优先权：["20210719 US 17/379,338"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2023.07.28#发明专利申请公布后的撤回;2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本申请涉及具有不同微结构的沟道子区的微电子装置以及相关方法和系统。一种微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包括以分层布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。至少一个柱延伸穿过所述堆叠结构。所述至少一个柱包含至少一种绝缘材料和水平包围所述至少一种绝缘材料的沟道结构。至少一个沟道结构包括半导体材料的子区。所述子区中的至少一者呈现与所述子区中的至少另一者不同的微结构。还公开了额外微电子装置以及相关方法和电子系统。

主权项：1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括以分层布置的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列；以及延伸穿过所述堆叠结构的至少一个柱，所述至少一个柱包括：至少一种绝缘材料；和沟道结构，其水平包围所述至少一种绝缘材料且包括半导体材料的子区，所述子区中的至少一者呈现与所述子区中的至少另一者不同的微结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 具有不同微结构沟道子区的微电子装置及相关方法和系统

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