申请/专利权人:山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日:2022-09-09
公开(公告)日:2023-01-24
公开(公告)号:CN115639259A
主分类号:G01N27/414
分类号:G01N27/414
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开
摘要:本发明公开了一种ISFET传感器芯片及ISFET传感器,应用于传感器芯片技术领域,包括基板,设置于基板的ISFET晶体管、敏感膜和传感器芯片集成电路;基板包括顶层以及顶层下方的中间层;敏感膜位于顶层,ISFET晶体管设置于中间层,敏感膜通过过孔与ISFET晶体管的栅极连接;传感器芯片集成电路设置于中间层,敏感膜至少覆盖部分传感器芯片集成电路。通过将敏感膜设置在基板的顶层,而将ISFET晶体管以及传感器芯片集成电路设置在基板的中间层,使得敏感膜与传感器芯片集成电路在基板中沿厚度方向分布,可以在水平方向上有效减少ISFET传感器芯片的面积,实现ISFET传感器芯片的小型化。
主权项:1.一种ISFET传感器芯片,其特征在于,包括基板,设置于所述基板的ISFET晶体管、敏感膜和传感器芯片集成电路;所述基板包括顶层以及所述顶层下方的中间层;所述敏感膜位于所述顶层,所述ISFET晶体管设置于所述中间层,所述敏感膜通过过孔与所述ISFET晶体管的栅极连接;所述传感器芯片集成电路设置于所述中间层,所述敏感膜至少覆盖部分所述传感器芯片集成电路。
全文数据:
权利要求:
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