申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115642092A

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31;H01L25/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.17#授权;2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明提供一种系统级扇出型封装结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：形成重新布线层，包括：形成图形化的第一无机介质层；形成金属布线层；于重新布线层的第一主面与半导体芯片之间形成混合键合结构，以将半导体芯片分别电性耦合至重新布线层的第一主面；于重新布线层的第一主面上形成塑封层以构成封装层，塑封层覆盖半导体芯片；暴露重新布线层的第二主面；提供一封装基板，使重新布线层的第二主面电性耦合至封装基板，所形成的系统级扇出型封装结构能够实现多个芯片的异质集成和互连，降低了封装制造的成本，并优化体积。

主权项：1.一种系统级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一支撑衬底，于所述支撑衬底上形成重新布线层，所述重新布线层具有相对设置的第一主面和第二主面，形成重新布线层的步骤包括：形成图形化的第一无机介质层；以及形成金属布线层；于所述重新布线层的第一主面与半导体芯片之间形成混合键合结构，以将所述半导体芯片分别电性耦合至所述重新布线层的第一主面，所述混合键合结构包括于所述重新布线层的第一主面上形成的第一键合层；于所述重新布线层的第一主面上形成塑封层以构成封装层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片；去除所述支撑衬底，暴露出所述重新布线层的第二主面；提供一封装基板，使所述重新布线层的第二主面电性耦合至所述封装基板，包括于所述重新布线层的第二主面与所述封装基板之间形成导电互连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 系统级扇出型封装结构及其制作方法

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