申请/专利权人：四川和芯微电子股份有限公司

申请日：2022-09-28

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115639873A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明提供了一种用于射频放大器的电压基准电路，所述电压基准电路通过线性化电路与射频放大器连接；其包括第一分压器与第二分压器，所述第一分压器由第一电阻构成且与所述线性化电路的偏置晶体管的基极连接；所述第二分压器与线性化电路的偏置晶体管的基极连接，所述第二分压器包括以二极管方式连接的第二晶体管、第三晶体管；其中，所述第二分压器还包括一调节单元，所述调节单元分别与所述第二晶体管、第三晶体管及线性化电路连接，所述调节单元可调节所述偏置电路输出电流的大小，用以补偿功率放大器因温度而变化的静态电流。本发明的用于射频放大器的电压基准电路可以随温度变化动态调节偏置电路输出至射频放大器的驱动电流，提升了偏置电路对放大器的温度补偿效果。

主权项：1.一种用于射频放大器的电压基准电路，所述电压基准电路通过线性化电路与射频放大器连接，所述电压基准电路与线性化电路构成所述射频放大器的偏置电路，以为所述射频放大器提供偏置电流；其包括第一分压器与第二分压器，所述第一分压器由第一电阻构成且与所述线性化电路的偏置晶体管的基极连接，以调节控制所述偏置晶体管基射结电压；所述第二分压器与线性化电路的偏置晶体管的基极连接，以为所述偏置晶体管提供基射结的基准电压，所述第二分压器包括以二极管方式连接的第二晶体管、第三晶体管；其特征在于，所述第二分压器还包括一调节单元，所述调节单元分别与所述第二晶体管、第三晶体管及线性化电路连接，所述调节单元可调节所述偏置电路输出电流的大小，用以补偿功率放大器因温度而变化的静态电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 四川和芯微电子股份有限公司 用于射频放大器的电压基准电路

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