申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司
申请日:2022-10-12
公开(公告)日:2023-01-24
公开(公告)号:CN115642099A
主分类号:H01L21/66
分类号:H01L21/66;H01J37/32
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开
摘要:本发明涉及一种等离子体监测结构及其制备方法及等离子体监测方法。等离子监测结构包括:衬底;金属层,位于衬底上;覆盖介质层,位于衬底上,且覆盖金属层;深通孔,位于覆盖介质层内,且位于覆盖介质层的至少一侧。本申请通过在金属层附近设置深通孔,有利于电荷在金属层边缘局部泄放,一旦干法刻蚀工艺中存在等离子体增大较多,易于在衬底局部表面发生目检可见的电弧现象,通过本申请的等离子体监测结构可以监测等离子体是否存在不稳定,并在等离子体存在不稳定时确定等离子体不稳定所在的区域。
主权项:1.一种等离子体监测结构,其特征在于,包括:衬底;金属层,位于所述衬底上;覆盖介质层,位于所述衬底上,且覆盖所述金属层;深通孔,位于所述覆盖介质层内,且位于所述覆盖介质层的至少一侧。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海积塔半导体有限公司 等离子体监测结构及其制备方法及等离子体监测方法
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