申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

申请日：2022-10-18

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115639454A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本申请涉及一种SiCMOSFET高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路。电路包括：待测的目标SiCMOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiCMOSFET的栅极、第一试验电路以及目标SiCMOSFET的源极可形成第一回路，以及目标SiCMOSFET的漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以通过第一回路和第二回路对目标SiCMOSFET进行目标试验，目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；漏极和栅极可形成短路回路，以及漏极、测试电路和源极可形成第三回路，以供测试电路在目标试验结束后，在短路回路和第三回路导通的情况下，测量目标SiCMOSFET的阈值电压。本申请通过快速导通不同的电路，实现SiCMOSFET器件阈值电压的监测，能够更准确地监测SiCMOSFET器件的阈值电压。

主权项：1.一种SiCMOSFET高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路，其特征在于，所述阈值电压监测电路包括待测的目标SiCMOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；所述目标SiCMOSFET的栅极、所述第一试验电路以及所述目标SiCMOSFET的源极可形成第一回路，以及所述目标SiCMOSFET的漏极、所述第二试验电路以及所述源极可形成第二回路，以通过所述第一回路和所述第二回路对所述目标SiCMOSFET进行目标试验，所述目标试验包括高温反偏试验和高温栅偏试验中的一种；所述漏极和所述栅极可形成短路回路，以及所述漏极、所述测试电路和所述源极可形成第三回路，以供所述测试电路在所述目标试验结束后，在所述短路回路和所述第三回路导通的情况下，测量所述目标SiCMOSFET的阈值电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) SiC MOSFET高温反偏或高温栅偏试验的阈值电压监测电路

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