申请/专利权人：无锡上机数控股份有限公司

申请日：2022-10-28

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115637497A

主分类号：C30B33/02

分类号：C30B33/02;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：本发明公开了一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，属于炭黑检测领域，一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温，所述S1中，将生长后的碳化硅晶体依次码放在坩埚中，晶体与坩埚埚壁之间保留间隙，且间隙距离保持在2‑5cm；每层晶体之间采用耐热高分子材料聚酰亚胺进行分隔，它可以实现，根据坩埚内部温度变化，自动调整温度升降，大大节省了电能损耗，同时可远程监测控制坩埚内部温度信息。

主权项：1.一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控制单元对碳化硅晶体控温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡上机数控股份有限公司 一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法

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