申请/专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司

申请日：2022-11-03

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115637494A

主分类号：C30B29/28

分类号：C30B29/28;C30B15/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明涉及一种TSAG晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述TSAG晶体由TSAG粉体经提拉法制备而成，制备过程中，控制升温速率、晶体转速和提拉速度，同时，晶体旋转设置为顺时针，然后经过缩颈、放肩、等径、收尾脱离操作，制备的TSAG晶体的宏观质量良好，完整无开裂，无包裹物，无宏观缺陷和散射光路，生长过程中选择了合适的转速和提拉速度，同时TSAG晶体旋转设置为顺时针，充分保证了TSAG晶体的均匀生长，TSAG晶体冷却后进行1500℃高温空气退火，使得TSAG晶体内部应力得到充分释放，最终制得的TSAG晶体在280‑1550nm波段范围内透过率达到81.5％。

主权项：1.一种TSAG晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：将TSAG纳米粉体放入铱金坩埚中，充入惰性气体保护，利用中频感应加热，以85-90℃h的升温速率升温至2020-2030℃，恒温至TSAG纳米粉体完全融化，形成熔体，以80℃h的降温速率降温至1980-1990℃，恒温，将已固定在籽晶杆上的籽晶引入至熔体液面，稳定45-60min后，熔体以0.1-0.2℃d的速率继续降温，同时，以10-20rpm的旋转速率旋转籽晶杆，晶体开始生长，进行缩颈、放肩、等径、收尾、脱离和降温操作后，得TSAG晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种TSAG晶体及其生长方法

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