申请/专利权人：矽磐微电子(重庆)有限公司

申请日：2019-05-13

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111933534B

主分类号：H01L21/56

分类号：H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.12.01#实质审查的生效;2020.11.13#公开

摘要：本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：在第一待封装芯片的正面形成介电层；将正面形成介电层的第一待封装芯片、以及已经进行了封装的第二待封装芯片贴装于载板上；在载板之上对第一待封装芯片和第二待封装芯片进行封装，形成包封层。该半导体封装结构包括：设有内凹的多个腔体的包封层；分别设于不同腔体中的第一芯片和已封装的第二芯片；形成于第一芯片的正面的介电层；形成于第一芯片和第二芯片的正面的再布线结构。本申请的半导体封装方法，简化了工艺流程，节约了封装成本；本申请的半导体封装结构，通过在第一芯片设置介电层，实现了减薄半导体封装结构的整体厚度的有益效果。

主权项：1.一种半导体封装方法，其特征在于，其包括：在第一待封装芯片的正面形成介电层；将正面形成所述介电层的所述第一待封装芯片、以及已经进行了封装的第二待封装芯片贴装于载板上，所述第一待封装芯片和所述第二待封装芯片的背面均朝上，正面均朝向所述载板；在所述载板之上对所述第一待封装芯片和所述第二待封装芯片进行封装，形成包封层；其中，所述已经进行了封装的第二待封装芯片的芯片所在平面不高于所述第一待封装芯片所在平面；在所述包封层的第一表面贴装支撑层；所述支撑层的材料强度大于所述包封层的材料强度；在贴装所述支撑层之后，所述封装方法还包括剥离所述载板，露出所述第一待封装芯片和所述第二待封装芯片的正面，并在所述第一待封装芯片和所述第二待封装芯片的正面形成再布线结构；在形成所述再布线结构之后，所述封装方法还包括剥离所述支撑层。

全文数据：

权利要求：

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