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【发明授权】薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板_深圳市华星光电半导体显示技术有限公司_201911092624.X 

申请/专利权人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请日:2019-11-11

公开(公告)日:2023-01-24

公开(公告)号:CN110911496B

主分类号:H01L29/786

分类号:H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.01.24#授权;2020.04.17#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要:在本申请所提供的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板中,通过在所述导电沟道图案以及所述基板上形成第一氧化硅层,并对第一氧化硅层进行等离子体原位处理,以形成第一氮氧化硅层;在第一氮氧化硅层上形成栅极金属层,对栅极金属层以及第一氮氧化硅层进行刻蚀,以形成栅极图案以及栅极绝缘层图案的技术手段,通过采用等离子体原位处理技术,把氧化硅材料转换为氮氧化硅材料,从而使与导电沟道层和栅极金属层接触的栅极绝缘层的上下界面均为含氢量低的氮氧化硅材料,解决了在满足绝缘介质层具备低氢元素含量的前提下提高绝缘介质层的介电常数及其与金属材料的界面特性的技术问题。

主权项:1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供一基板,在所述基板上依次形成缓冲层和导电沟道图案;在所述导电沟道图案以及所述基板上形成第一氧化硅层,并对所述第一氧化硅层进行等离子体原位处理,以形成第一氮氧化硅层;在所述第一氮氧化硅层上形成第二氧化硅层,并对所述第二氧化硅层进行等离子体原位处理,以在所述第一氮氧化硅层上依次形成氧化硅层以及第二氮氧化硅层;在所述第二氮氧化硅层上形成栅极金属层,对所述栅极金属层、所述第二氮氧化硅层、所述氧化硅层以及所述第一氮氧化硅层进行刻蚀,以形成栅极图案以及三层结构的栅极绝缘层图案,所述第一氮氧化硅层和所述第二氮氧化硅层均为低含氢量的膜层;在所述栅极图案、所述栅极绝缘层图案、所述导电沟道图案以及所述基板上形成绝缘层,并在所述绝缘层上形成第一过孔和第二过孔;在所述绝缘层上形成源极图案以及漏极图案,所述源极图案通过所述第一过孔与所述导电沟道图案连接,所述漏极图案通过所述第二过孔与所述导电沟道图案连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示面板

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